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μ PA2521
3
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2
1
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
0.1
0.01
V DS = 10 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
40
Pulsed
30
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
40
30
20
10
0
V GS = 4.5 V
10 V
20
10
0
I D = 8.0 A
Pulsed
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
Pulsed
30
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
20
V GS = 4.5 V, I D = 4.0 A
1000
C iss
10
10 V, 8.0 A
100
C oss
C rss
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0
10
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G19187EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
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